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参数资料
| 型号： | IRF1404STRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 162A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4 毫欧 @ 95A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 200nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7360pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF1404S/L
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ. Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
40
––– ––– V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J
R DS(on)
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
–––
0.036 –––
0.00350.004
V/°C
?
Reference to 25°C, I D = 1mA
V GS = 10V, I D = 95A ?
72 ––– R G = 2.5 ?
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
2.0
106
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
––– 4.0 V V DS = 10V, I D = 250μA
––– ––– S V DS = 25V, I D = 60A ?
––– 20 V DS = 40V, V GS = 0V
μA
––– 250 V DS = 32V, V GS = 0V, T J = 150°C
––– 200 V GS = 20V
nA
––– -200 V GS = -20V
160 200 I D = 95A
35 ––– nC V DS = 32V
42 60 V GS = 10V ??
17 ––– V DD = 20V
140 ––– I D = 95A
ns
26 ––– R D = 0.21 ? ??
L S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
nH
Between lead,
and center of die contact
C iss
C oss
C rss
C oss
C oss
C oss eff.
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance ??
–––
–––
–––
–––
–––
–––
7360 ––– V GS = 0V
1680 ––– V DS = 25V
240 ––– pF ? = 1.0MHz, See Fig. 5 ?
6630 ––– V GS = 0V, V DS = 1.0V, ? = 1.0MHz
1490 ––– V GS = 0V, V DS = 32V, ? = 1.0MHz
1540 ––– V GS = 0V, V DS = 0V to 32V
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
––– ––– 162 ?
––– ––– 650
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
Diode Forward Voltage
––– ––– 1.3 V T J = 25°C, I S = 95A, V GS = 0V
?
t rr
Q rr
t on
Notes:
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
––– 71 110 ns T J = 25°C, I F = 95A
––– 180 270 nC di/dt = 100A/μs ??
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L S +L D )
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. (See fig. 11)
? Starting T J = 25°C, L = 0.12mH
R G = 25 ? , I AS = 95A. (See Figure 12)
? I SD ≤ 95A, di/dt ≤ 150A/μs, V DD ≤ V (BR)DSS ,
T J ≤ 175°C
? C oss eff. is a fixed capacitance that gives the same charging time
as C oss while V DS is rising from 0 to 80% V DSS
? Calculated continuous current based on maximum allowable
junction temperature. Package limitation current is 75A
? Use IRF1404 data and test conditions.
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%.
* When mounted on 1" square PCB ( FR-4 or G-10 Material ).
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994.
2
www.irf.com
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参数描述 |
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