- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录442 > IRF1404STRR (International Rectifier)MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IRF1404STRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 162A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4 毫欧 @ 95A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 200nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7360pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF1404S/L
12000
10000
V GS = 0V, f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
20
16
I D = 95A
V DS = 32V
V DS = 20V
8000
Cis s
12
6000
8
4000
2000
Coss
4
0
1
Crss
10
100
0
0
40
80
120
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
160 200 240
T J = 175 C
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
°
100
10000
1000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
10us
10
T J = 25 ° C
100
10
100us
1ms
10ms
1
0.4
0.8
1.2
1.6
V GS = 0 V
2.0 2.4
1
1
T C = 25 °C
T J = 175 °C
Single Pulse
10
100
4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF1405STRR | MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK |
| IRF2807STRL | MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK |
| IRF3205STRR | MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK |
| IRF3315STRR | MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK |
| IRF3315 | MOSFET N-CH 150V 27A TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF1404STRRPBF | 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF1404Z | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET |
| IRF1404Z-010PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IRF1404ZGPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF1404ZL | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。