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参数资料
| 型号： | IRF2804SPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | AUTOMOTIVE MOSFET |
| 中文描述： | 汽车MOSFET的 |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 771K |
| 代理商： | IRF2804SPBF |
www.irf.com
5
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
Fig 10.
Normalized On-Resistance
vs. Temperature
-60 -40 -20
0
20
40
60 80 100 120 140 160 180
TJ , Junction Temperature (°C)
0.5
1.0
1.5
2.0
RD
ID = 75A
VGS = 10V
25
50
75
100
125
150
175
TC , Case Temperature (°C)
0
50
100
150
200
250
300
ID
Limited By Package
1E-008
1E-007
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
0.20
0.10
0.05
D = 0.50
0.02
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF2804 | HEXFET Power MOSFET |
| IRF2804L | HEXFET Power MOSFET |
| IRF2804S | HEXFET Power MOSFET |
| IRF2804LPBF | AUTOMOTIVE MOSFET |
| IRF2804PBF | AUTOMOTIVE MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF2804SPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N D2-PAK |
| IRF2804SPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRF2804STRL | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF2804STRL7PP | 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 320A 1.6mOhm 170nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF2804STRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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