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参数资料
| 型号： | IRF2804SPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | AUTOMOTIVE MOSFET |
| 中文描述： | 汽车MOSFET的 |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 771K |
| 代理商： | IRF2804SPBF |
8
www.irf.com
Fig 17.
for N-Channel
HEXFET Power MOSFETs
"
#$!
%&
P.W.
Period
di/dt
Diodedv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
''
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V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
'
"12
'.
≤ 1
3
≤ 0.1 %
'
+
-
''
Fig 18a.
Switching Time Test Circuit
Fig 18b.
Switching Time Waveforms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF2804 | HEXFET Power MOSFET |
| IRF2804L | HEXFET Power MOSFET |
| IRF2804S | HEXFET Power MOSFET |
| IRF2804LPBF | AUTOMOTIVE MOSFET |
| IRF2804PBF | AUTOMOTIVE MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF2804SPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N D2-PAK |
| IRF2804SPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRF2804STRL | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF2804STRL7PP | 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 320A 1.6mOhm 170nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF2804STRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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