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参数资料
| 型号： | IRF3205S |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 55V的，的Rds（on）\u003d 8.0mohm，身份证\u003d已废除） |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 160K |
| 代理商： | IRF3205S |
IRF3205S/L
4
www.irf.com
Forward Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0
20
40
60
80
100
120
0
2
4
6
8
10
12
14
16
Q , Total Gate Charge (nC)
V
I =
62A
V
= 11V
DS
V
= 27V
DS
V
= 44V
DS
1
10
100
1000
10000
1
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 175°
= 25°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
10us
100us
1ms
10ms
0.1
1
10
100
1000
0.2
0.8
1.4
2.0
2.6
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 175 C
°
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PDF描述 |
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