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参数资料
| 型号： | IRF3305PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET㈢ Power MOSFET |
| 中文描述： | ㈢的HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 194K |
| 代理商： | IRF3305PBF |
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
18
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 14.
Threshold Voltage Vs. Temperature
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ, Junction Temperature (°C)
0
400
800
1200
1600
2000
EA
ID
TOP
18A
26A
BOTTOM
75A
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
TJ , Temperature ( °C )
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
VG
ID = 5.0A
ID = 1.0A
ID = 250μA
1K
VCC
DUT
0
L
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