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参数资料
| 型号： | IRF3315 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.07ohm, Id=27A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 150伏，的Rds（on）\u003d 0.07ohm，身份证\u003d 27A条） |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 124K |
| 代理商： | IRF3315 |
IRF3315
APPROVED
4
www.irf.com
1
10
100
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
0
20
Q , Total Gate Charge (nC)
40
60
80
100
0
4
8
12
16
20
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
D
13
12
V
= 30V
DS
V
= 75V
DS
V
= 120V
DS
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
0.1
1
10
100
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 175 C
°
1
10
100
1000
1
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 175°
= 25°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
10us
100us
1ms
10ms
A
INPUT NEW DATA
INPUT NEW DATA
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