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参数资料
| 型号： | IRF3315 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 27A TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 27A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 95nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 136W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF3315 |
APPROVED
IRF3315
1000
TOP
VGS
15V
10V
8.0V
1000
TOP
VGS
15V
10V
8.0V
100
10
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
INPUT NEW DATA
4.5V
100
10
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
INPUT NEW DATA
4.5V
1
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 25 ° C
10 100
1
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 175 ° C
10 100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000
100
10
INPUT NEW DATA
T J = 25 ° C
T J = 175 ° C
V DS = 50V
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
I D = 27A
INPUT NEW DATA
1
4.0
5.0
6.0
7.0
20μs PULSE WIDTH
8.0 9.0
10.0
0.0
-60 -40 -20
0
V GS = 10V
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T J , Junction Temperature ( C)
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
°
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
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PDF描述 |
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