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参数资料
| 型号： | IRF3704STRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 77A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 19nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1996pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 87W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
PD - 93888B
IRF3704
Applications
SMPS MOSFET
IRF3704S
IRF3704L
HEXFET ? Power MOSFET
l
High Frequency DC-DC Isolated
l
Converters with Synchronous Rectification
for Telecom and Industrial use
High Frequency Buck Converters for
V DSS
20V
R DS(on) max
9.0m ?
I D
77A ?
Computer Processor Power
Benefits
l
l
l
Ultra-Low Gate Impedance
Very Low R DS(on)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Absolute Maximum Ratings
TO-220AB
IRF3704
D 2 Pak
IRF3704S
TO-262
IRF3704L
Symbol
V DS
V GS
I D @ T C = 25 ° C
I D @ T C = 70 ° C
I DM
P D @T C = 25 ° C
P D @T C = 70 ° C
T J , T STG
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Pulsed Drain Current ?
Maximum Power Dissipation ?
Maximum Power Dissipation ?
Linear Derating Factor
Junction and Storage Temperature Range
Max.
20
± 20
77 ?
64
308
87
61
0.59
-55 to + 175
Units
V
V
A
W
W
mW/ ° C
° C
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC
R θ CS
R θ JA
R θ JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface ?
Junction-to-Ambient ?
Junction-to-Ambient (PCB mount)*
–––
0.50
–––
–––
1.73
–––
62
40
° C/W
* When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material) .
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994
Notes ? through ? are on page 10
www.irf.com
1
8/22/00
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF3704ZCSTRLP | MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRF3704Z | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRF3704ZCL | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRF3704ZCLPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 67A TO-262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF3704ZCS | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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