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参数资料
| 型号： | IRF3704STRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 77A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 19nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1996pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 87W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF3704/3704S/3704L
90
V DS
R D
75
LIMITED BY PACKAGE
R G
V GS
D.U.T.
+
- V DD
60
10V
45
30
15
0
Pulse Width ≤ 1 μs
Duty Factor ≤ 0.1 %
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
V DS
90%
25
50
75
100
125
150
175
T C , Case Temperature
( ° C)
10%
V GS
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
t d(on)
t r
t d(off)
t f
10
Case Temperature
Fig 10b. Switching Time Waveforms
1
D = 0.50
0.1
0.01
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
P DM
t 1
Notes:
1. Duty factor D = t 1 / t 2
2. Peak T J = P DM x Z thJC + T C
t 2
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
www.irf.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| IRF3704ZCSTRLP | MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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