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参数资料
| 型号： | IRF3704STRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 77A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 19nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1996pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 87W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF3704/3704S/3704L
D 2 Pak Tape & Reel Information
Dimensions are shown in millimeters (inches)
TR R
1 .6 0 (.0 63 )
1 .5 0 (.0 59 )
F E ED D IRE C TIO N 1 .8 5 (.0 7 3 )
4 .1 0 ( .1 6 1)
3 .9 0 ( .1 5 3)
1.60 (.06 3)
1.50 (.05 9)
1 1.60 (.457 )
0 .3 68 (.0 145 )
0 .3 42 (.0 135 )
1 .6 5 (.0 6 5 )
1 1.40 (.449 )
15 .4 2 (.60 9)
15 .2 2 (.60 1)
24.30 (.95 7)
23.90 (.94 1)
TR L
1.75 (.0 69 )
10 .9 0 (.42 9)
10 .7 0 (.42 1)
1.25 (.0 49 )
16 .1 0 (.63 4)
4 .7 2 (.13 6)
4 .5 2 (.17 8)
15 .9 0 (.62 6)
F E ED D IR E CT IO N
NO TE S :
33 0.00
(14.173)
M AX .
13.50 (.532)
12.80 (.504)
27.40 (1.079)
23.90 (.941)
4
60.00 (2.362)
M IN.
30.40 (1.197)
MA X.
Notes:
1. CO MF OR M S TO EIA-418.
2. CO N TRO LLIN G DIM ENSIO N : MILLIM ET ER .
3. DIM ENS ION MEAS URED @ HU B.
4. INC LUD ES FLAN GE DIS TO RTIO N @ OU TER ED G E.
26.40 (1.039)
24.40 (.961)
3
4
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
? Starting T J = 25 ° C, L = 0.5 mH
R G = 25 ? , I AS = 28.4 A.
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%.
? This is only applied to TO-220AB package
? Calculated continuous current based on maximum allowable
junction temperature. Package limitation current is 75A.
IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
IR EUROPEAN REGIONAL CENTRE: 439/445 Godstone Rd, Whyteleafe, Surrey CR3 OBL, UK Tel: ++ 44 (0)20 8645 8000
IR CANADA: 15 Lincoln Court, Brampton, Ontario L6T3Z2, Tel: (905) 453 2200
IR GERMANY: Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 (0) 6172 96590
IR ITALY: Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 011 451 0111
IR JAPAN: K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo 171 Tel: 81 (0)3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA: 1 Kim Seng Promenade, Great World City West Tower, 13-11, Singapore 237994 Tel: ++ 65 (0)838 4630
IR TAIWAN: 16 Fl. Suite D. 207, Sec. 2, Tun Haw South Road, Taipei, 10673 Tel: 886-(0)2 2377 9936
Data and specifications subject to change without notice. 8/00
10
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF3704ZCSTRLP | MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK |
| IRF3704ZSTRLPBF | MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK |
| IRF3706STRLPBF | MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK |
| IRF3706STRR | MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK |
| IRF3707STRLPBF | MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRF3704Z | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRF3704ZCL | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRF3704ZCLPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 67A TO-262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF3704ZCS | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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