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参数资料
| 型号： | IRF3704STRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 77A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 19nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1996pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 87W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF3704/3704S/3704L
0.020
VGS = 4.5V
0.010
0.009
0.015
0.008
I D = 35.5A
0.010
0.005
VGS = 10V
0.007
0.006
0
50
100
150
200
250
300
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
ID , Drain Current ( A )
Fig 12. On-Resistance Vs. Drain Current
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
Fig 13. On-Resistance Vs. Gate Voltage
12V
.2 μ F
50K ?
.3 μ F
V GS
Q GS
Q G
Q GD
- DS
V GS
D.U.T.
3mA
I G I D
Current Sampling Resistors
+
V
V G
Charge
600
500
I D
TOP 11.6A
23.8A
BOTTOM 28.4A
400
Fig 14a&b. Basic Gate Charge Test circuit
and Waveforms
300
200
15V
tp
V (B R )D S S
VD S
L
DRIVER
100
I AS
RG
20 V
tp
D.U .T
IA S
0.0 1 ?
+
- VD D
A
0
25
50 75 100 125 150
Starting T J , Junction Temperature ( ° C)
175
Fig 15a&b. Unclamped Inductive Test circuit
and Waveforms
6
Fig 15c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF3704ZCSTRLP | MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK |
| IRF3704ZSTRLPBF | MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK |
| IRF3706STRLPBF | MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK |
| IRF3706STRR | MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK |
| IRF3707STRLPBF | MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF3704STRRPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF3704Z | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRF3704ZCL | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRF3704ZCLPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 67A TO-262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF3704ZCS | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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