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参数资料
型号： IRF3707STRLPBF
厂商： International Rectifier
文件页数： 1/11页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
标准包装： 800
系列： HEXFET®
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)： 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 62A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 12.5 毫欧 @ 15A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 19nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 1990pF @ 15V
功率 - 最大： 87W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装： D2PAK
包装： 带卷 (TR)
PD -95528
IRF3707PbF
Applications
SMPS MOSFET
IRF3707SPbF
IRF3707LPbF
HEXFET ? Power MOSFET
l
l
High Frequency DC-DC Isolated
Converters with Synchronous Rectification
for Telecom and Industrial use
High Frequency Buck Converters for
V DSS
30V
R DS(on) max
12.5m ?
I D
62A
Computer Processor Power
l
Lead-Free
Benefits
l
l
Ultra-Low Gate Impedance
Very Low R DS(on)
l
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
TO-220AB
IRF3707
D 2 Pak
IRF3707S
TO-262
IRF3707L
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V DS
V GS
I D @ T C = 25°C
I D @ T C = 70°C
I DM
P D @T C = 25°C
P D @T C = 70°C
T J , T STG
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Pulsed Drain Current ?
Maximum Power Dissipation ?
Maximum Power Dissipation ?
Linear Derating Factor
Junction and Storage Temperature Range
Max.
30
± 20
62
52
248
87
61
0.59
-55 to + 175
Units
V
V
A
W
W
mW/°C
°C
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC
R θ CS
R θ JA
R θ JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface ?
Junction-to-Ambient ?
Junction-to-Ambient (PCB mount) *
–––
0.50
–––
–––
1.73
–––
62
40
°C/W
* When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material) .
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994
Notes ? through ? are on page 10
www.irf.com
1
7/20/04
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PDF描述
IRF3707STRR MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
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IRF3709ZSTRLPBF MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
相关代理商/技术参数
参数描述
IRF3707STRR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3707STRRPBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF3707Z 功能描述:MOSFET N-CH 30V 59A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3707ZCL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 59A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3707ZCLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 59A 9.5mOhm 9.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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