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参数资料
| 型号： | IRF3707STRLPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 62A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12.5 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 19nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1990pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 87W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF3707S/LPbF
D 2 Pak Tape & Reel Infomation
TRR
1.60 (.063)
1.50 (.059)
4.10 (.161)
3.90 (.153)
1.60 (.063)
1.50 (.059)
0.368 (.0145)
0.342 (.0135)
FEED DIRECTION 1.85 (.073)
1.65 (.065)
11.60 (.457)
11.40 (.449)
15.42 (.609)
15.22 (.601)
24.30 (.957)
23.90 (.941)
TRL
1.75 (.069)
10.90 (.429)
10.70 (.421)
1.25 (.049)
16.10 (.634)
4.72 (.136)
4.52 (.178)
15.90 (.626)
FEED DIRECTION
330.00
(14.173)
MAX.
13.50 (.532)
12.80 (.504)
27.40 (1.079)
23.90 (.941)
4
60.00 (2.362)
MIN.
Notes:
NOTES :
1. COMFORMS TO EIA-418.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSION MEASURED @ HUB.
4. INCLUDES FLANGE DISTORTION @ OUTER EDGE.
26.40 (1.039)
24.40 (.961)
3
30.40 (1.197)
MAX.
4
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
? Starting T J = 25°C, L = 0.7 mH
R G = 25 ? , I AS = 24.8 A.
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%.
? This is only applied to TO-220AB package
Data and specifications subject to change without notice.
IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
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10
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF3707STRR | MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK |
| IRF3707ZCSTRLP | MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK |
| IRF3707ZSTRLP | MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK |
| IRF3708STRLPBF | MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK |
| IRF3709ZSTRLPBF | MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF3707STRR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF3707STRRPBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF3707Z | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 59A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF3707ZCL | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 59A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF3707ZCLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 59A 9.5mOhm 9.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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