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参数资料
| 型号： | IRF3415L |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | RES CRCW08054R7J DALE 3 |
| 中文描述： | 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 150伏，的Rds（on）\u003d 0.042ohm，身份证\u003d 43A章） |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 156K |
| 代理商： | IRF3415L |
IRF3415S/L
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
0
40
Q , Total Gate Charge (nC)
80
120
160
200
0
4
8
12
16
20
V
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
22A
V
= 30V
DS
V
= 75V
DS
V
= 120V
DS
0.1
1
10
100
1000
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
o
T = 175 C
o
1
10
100
1000
1
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 175 C
= 25 C
J
C
o
o
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
10us
100us
1ms
10ms
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