参数资料
型号: IRF3415S
厂商: International Rectifier
文件页数: 11/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
标准包装: 50
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 43A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 42 毫欧 @ 22A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2400pF @ 25V
功率 - 最大: 3.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 管件
其它名称: *IRF3415S
Note: For the most current drawings please refer to the IR website at:
http://www.irf.com/package/
相关PDF资料
PDF描述
IRF3315S MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
F930J475KAA CAP TANT 4.7UF 6.3V 10% 1206
IRF2807S MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
T491A155K016AT CAP TANT 1.5UF 16V 10% 1206
AT062G SW CAP ROCKER .250" MATTE BLUE
相关代理商/技术参数
参数描述
IRF3415SHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 43A 3PIN D2PAK - Bulk
IRF3415SPBF 功能描述:MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 133.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF3415STRL 制造商:Int'L Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRF3415STRLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 43A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRF3415STRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube