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参数资料
| 型号： | IRF3415S |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 43A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 42 毫欧 @ 22A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 200nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF3415S |
IRF3415S/L
6000
5000
V GS = 0V, f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
20
16
I D = 22A
V DS = 120V
V DS = 75V
V DS = 30V
4000
Ciss
12
3000
8
2000
Coss
1000
Crss
4
FOR TEST CIRCUIT
0
1
10
100
0
0
40
80
SEE FIGURE 13
120 160
200
1000
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY RDS(on)
100
T J = 175 C
10
o
100
10us
100us
T J = 25 C
1
o
10
1ms
0.1
0.2
0.6
1.0
VGS = 0 V
1.4 1.8
1
1
T C= 25 o C
T J = 175 o C
Single Pulse
10
100
10ms
1000
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF3315S | MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK |
| F930J475KAA | CAP TANT 4.7UF 6.3V 10% 1206 |
| IRF2807S | MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK |
| T491A155K016AT | CAP TANT 1.5UF 16V 10% 1206 |
| AT062G | SW CAP ROCKER .250" MATTE BLUE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF3415SHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 43A 3PIN D2PAK - Bulk |
| IRF3415SPBF | 功能描述:MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 133.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF3415STRL | 制造商:Int'L Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| IRF3415STRLHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 43A 3PIN D2PAK - Tape and Reel |
| IRF3415STRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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