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参数资料
| 型号： | IRF3515S |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 41A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 107nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2260pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF3515S |
IRF3515S/L
D 2 Pak Tape & Reel Information
TR R
1 .6 0 (.0 6 3 )
1 .5 0 (.0 5 9 )
F EE D D IRE C TIO N 1 .8 5 (.0 7 3 )
4.1 0 (.16 1 )
3.9 0 (.15 3 )
1 .6 0 (.06 3)
1 .5 0 (.05 9)
1 1.60 (.45 7)
0 .3 68 (.0 14 5)
0 .3 42 (.0 13 5)
1 .6 5 (.0 6 5 )
1 1.40 (.44 9)
1 5.42 (.6 09)
1 5.22 (.6 01)
24.30 (.95 7)
23.90 (.94 1)
TR L
1 .7 5 (.069 )
10.90 (.42 9)
10.70 (.42 1)
1 .2 5 (.049 )
1 6.10 (.6 34 )
4.7 2 (.13 6)
4.5 2 (.17 8)
1 5.90 (.6 26 )
F E ED D IRE C T IO N
NO TES :
330.00
(14.173)
M AX.
13.50 (.532)
12.80 (.504)
27.40 (1.079)
23.90 (.941)
4
60.00 (2.362)
M IN.
30.40 (1.197)
MA X.
Notes:
1. CO MF OR MS TO EIA-418.
2. CO NT RO LLING D IM EN SIO N: M ILLIM ETER .
3. DIM ENS ION M EASUR ED @ HU B.
4. INC LUD ES F LANG E DIST ORT IO N @ O UT ER EDG E.
26.40 (1.039)
24.40 (.961)
3
4
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. (See fig. 11)
? Starting T J = 25°C, L = 2.2mH
R G = 25 ? , I AS = 25A. (See Figure 12)
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%.
? C oss eff. is a fixed capacitance that gives the same charging time
as C oss while V DS is rising from 0 to 80% V DSS
? I SD ≤ 5.0A, di/dt ≤ 330A/μs, V DD ≤ V (BR)DSS ,
T J ≤ 175°C
* When mounted on FR-4 board using minimum recommended footprint.
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994.
WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331
IR GREAT BRITAIN: Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020
IR CANADA: 15 Lincoln Court, Brampton, Ontario L6T3Z2, Tel: (905) 453 2200
IR GERMANY: Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590
IR ITALY: Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111
IR JAPAN: K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo Japan 171 Tel: 81 3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA: 1 Kim Seng Promenade, Great World City West Tower, 13-11, Singapore 237994 Tel: ++ 65 838 4630
IR TAIWAN: 16 Fl. Suite D. 207, Sec. 2, Tun Haw South Road, Taipei, 10673, Taiwan Tel: 886-2-2377-9936
Data and specifications subject to change without notice. 10/99
10
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| F930J685KAA | CAP TANT 6.8UF 6.3V 10% 1206 |
| MMBD2004S-7-F | DIODE SS SW 350MW 240V SOT23-3 |
| B32921C3104M289 | CAP FILM 0.1UF 310VAC RADIAL |
| ECH-U1H102JB5 | CAP FILM 1000PF 50VDC 0805 |
| AT3075C | SW CAP SQUARE BEVELED RED |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF3515SHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 41A 3PIN D2PAK - Bulk |
| IRF3515SPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 150V, 41A, 45 MOHM, 71.3 NC QG, D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 41A 3PIN D2PAK - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 150V 41A D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 150V, 41A, D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 150V, 41A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:41A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):45mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4.5V; Power ;RoHS Compliant: Yes 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N-Channel 150V 41A D2PAK |
| IRF3515STRL | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF3515STRLHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| IRF3515STRLPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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