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参数资料
| 型号： | IRF3515S |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 41A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 107nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2260pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF3515S |
IRF3515S/L
100000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = C gs + Cgd, Cds
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
SHORTED
20
16
I D = 25A
V DS = 120V
V DS = 75V
V DS = 30V
10000
12
Ciss
8
1000
Coss
4
Crss
FOR TEST CIRCUIT
100
1
10
100
0
0
20
40
60
SEE FIGURE 13
80 100
120
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
1000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
100
10
1
T J = 175 ° C
T J = 25 ° C
100
10
10us
100us
1ms
0.1
0.2
0.6
1.0
V GS = 0 V
1.4 1.8
1
1
T C = 25 ° C
T J = 175 ° C
Single Pulse
10
100
10ms
1000
4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| F930J685KAA | CAP TANT 6.8UF 6.3V 10% 1206 |
| MMBD2004S-7-F | DIODE SS SW 350MW 240V SOT23-3 |
| B32921C3104M289 | CAP FILM 0.1UF 310VAC RADIAL |
| ECH-U1H102JB5 | CAP FILM 1000PF 50VDC 0805 |
| AT3075C | SW CAP SQUARE BEVELED RED |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF3515SHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 41A 3PIN D2PAK - Bulk |
| IRF3515SPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 150V, 41A, 45 MOHM, 71.3 NC QG, D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 41A 3PIN D2PAK - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 150V 41A D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 150V, 41A, D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 150V, 41A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:41A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):45mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4.5V; Power ;RoHS Compliant: Yes 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N-Channel 150V 41A D2PAK |
| IRF3515STRL | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF3515STRLHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| IRF3515STRLPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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