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参数资料
| 型号： | IRF3704 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 77A TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 77A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 19nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1996pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 87W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF3704 |
IRF3704/3704S/3704L
Static @ T J = 25 ° C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
20
–––
–––
V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.021
–––
V/ ° C Reference to 25 ° C, I D = 1mA
m ?
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
–––
6.3
9.8
9.0 V GS = 10V, I D = 15A
13.5 V GS = 4.5V, I D = 12A
?
?
V GS(th)
Gate Threshold Voltage 1.0
–––
3.0 V V DS = V GS , I D = 250μA
I DSS
I GSS
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
20 V DS = 16V, V GS = 0V
μA
100 V DS = 16V, V GS = 0V, T J = 125 ° C
200 V GS = 16V
nA
-200 V GS = -16V
Dynamic @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
g fs
Q g
Q gs
Q gd
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
42
–––
–––
–––
–––
19
8.1
6.4
–––
–––
–––
–––
S V DS = 10V, I D = 57A
I D = 28.4A
nC V DS = 10V
V GS = 4.5V ?
Q oss
Output Gate Charge
–––
16
24 V GS = 0V, V DS = 10V
t d(on)
Turn-On Delay Time
–––
8.4
–––
V DD = 10V
t r
t d(off)
Rise Time
Turn-Off Delay Time
–––
–––
98
12
–––
–––
ns
I D = 28.4A
R G = 1.8 ?
t f
C iss
C oss
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
–––
–––
–––
5.0
1996
1085
–––
–––
–––
V GS = 4.5V
V GS = 0V
V DS = 10V
?
C rss
Reverse Transfer Capacitance
–––
155
–––
pF
? = 1.0MHz
Avalanche Characteristics
Symbol
E AS
I AR
Parameter
Single Pulse Avalanche Energy ?
Avalanche Current ?
Typ.
–––
–––
Max.
216
71
Units
mJ
A
Diode Characteristics
Symbol
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
integral reverse
I S
I SM
V SD
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
Diode Forward Voltage
––– –––
––– –––
––– 0.88
––– 0.82
77 ?
308
1.3
–––
A
V
D
showing the
G
p-n junction diode. S
T J = 25 ° C, I S = 35.5A, V GS = 0V ?
T J = 125 ° C, I S = 35.5A, V GS = 0V ?
t rr
Q rr
t rr
Q rr
Reverse
Reverse
Reverse
Reverse
Recovery
Recovery
Recovery
Recovery
Time
Charge
Time
Charge
–––
–––
–––
–––
38
45
41
50
57
68
62
75
ns
nC
ns
nC
T J = 25 ° C, I F = 35.5A, V R =20V
di/dt = 100A/μs ?
T J = 125 ° C, I F = 35.5A, V R =20V
di/dt = 100A/μs ?
2
www.irf.com
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