参数资料
型号: IRF3704
厂商: International Rectifier
文件页数: 8/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 20V 77A TO-220AB
标准包装: 50
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 77A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 9 毫欧 @ 15A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 19nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1996pF @ 10V
功率 - 最大: 87W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220AB
包装: 管件
其它名称: *IRF3704
IRF3704/3704S/3704L
D 2 Pak Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
1.4 0 (.055 )
M AX.
1 0.54 (.415 )
1 0.29 (.405 )
-A-
2
4 .6 9 (.18 5)
4 .2 0 (.16 5)
-B-
1.3 2 (.05 2)
1.2 2 (.04 8)
10 .1 6 (.4 00 )
R E F.
6.47 (.2 55 )
6.18 (.2 43 )
1.7 8 (.07 0)
1.2 7 (.05 0)
1
3
1 5.49 (.6 10)
1 4.73 (.5 80)
2.7 9 (.110 )
2.2 9 (.090 )
5.28 (.2 08 )
4.78 (.1 88 )
2.61 (.1 03 )
2.32 (.0 91 )
3X
1.40 (.0 55)
1.14 (.0 45)
5 .08 (.20 0)
3X
0.9 3 (.0 37 )
0.6 9 (.0 27 )
0.25 (.0 10 )
M
B A M
0.55 (.0 22)
0.46 (.0 18)
1.3 9 (.0 55 )
1.1 4 (.0 45 )
8.8 9 (.3 50 )
R E F.
M IN IM U M R EC O M M E ND E D F O O TP R IN T
1 1.43 (.4 50 )
NO TE S:
1 D IM EN S IO N S A FTER SO LD E R D IP .
2 D IM EN S IO N IN G & TO LE R AN C IN G P ER AN S I Y1 4.5M , 19 82 .
3 C O N TRO L LIN G D IM EN S IO N : IN C H.
4 H E ATSINK & L EA D D IM E N SIO N S DO N O T IN C LU D E B U R RS .
D 2 Pak Part Marking Information
LE AD AS SIG N M E N TS
1 - G ATE
2 - D RA IN
3 - SO U R C E
8 .89 (.35 0)
3.81 (.1 5 0)
2.0 8 (.08 2)
2X
17 .78 (.70 0)
2.5 4 (.100 )
2X
IN TE R N A TIO N A L
A
PART NUM BER
8
R E C T IF IE R
LO G O
A S S E M B LY
LO T C O D E
F530S
9 24 6
9B 1M
DATE CODE
(Y YW W )
YY = Y E A R
W W = W EEK
www.irf.com
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PDF描述
REC5-2412SRWZ/H2/C/M CONV DC/DC 5W 9-36VIN 12VOUT
P51-3000-S-G-M12-4.5OVP-000-000 SENSOR 3000PSI 1/8-27NPT .5-4.5V
P51-3000-A-U-I12-20MA-000-000 SENSOR 3000PSI 7/16-20-2B 4-20MA
P51-1000-A-P-D-5V-000-000 SENSOR 1000PSI M20-1.5 6G 1-5V
P51-1500-A-G-D-4.5V-000-000 SENSOR 1500PSI 1/8-27NPT .5-4.5V
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参数描述
IRF3704L 功能描述:MOSFET N-CH 20V 77A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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IRF3704PBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 9.0mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF3704S 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=77A)
IRF3704SPBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube