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参数资料
| 型号： | IRF3704ZL |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 308K |
| 代理商： | IRF3704ZL |
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
1000
10000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0
5
10
15
20
25
QG Total Gate Charge (nC)
0
2
4
6
8
10
12
VG
VDS= 16V
VDS= 10V
ID= 17A
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
VSD, Source-toDrain Voltage (V)
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
IS
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
0
1
10
100
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF3704ZS | HEXFET Power MOSFET |
| IRF3707LPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF3707PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF3707SPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF3708LPBF | SMPS MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF3704ZLHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 67A 3PIN TO-262 - Bulk |
| IRF3704ZLPBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 7.9mOhms 8.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF3704ZPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 67A 7.9mOhm 8.7nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF3704ZS | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRF3704ZSPBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 11.1mOhms 8.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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