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参数资料
| 型号： | IRF3706L |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 77A TO-262 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 77A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.5 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2410pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 88W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF3706L |
PD - 93936C
IRF3706
Applications
SMPS MOSFET
IRF3706S
IRF3706L
HEXFET ? Power MOSFET
l
High Frequency DC-DC Isolated
l
Converters with Synchronous Rectification
for Telecom and Industrial Use
High Frequency Buck Converters for
V DSS
20V
R DS(on) max
8.5m ?
I D
77A ?
Computer Processor Power
Benefits
l
l
l
Ultra-Low Gate Impedance
Very Low R DS(on) at 4.5V V GS
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
TO-220AB
IRF3706
D 2 Pak
IRF3706S
TO-262
IRF3706L
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Max.
Units
V DS
V GS
I D @ T C = 25°C
Drain-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
20
± 12
77
V
V
I D @ T C = 100°C Continuous Drain Current, V GS @ 10V
54
A
I DM
Pulsed Drain Current
280
P D @T C = 25°C
Maximum Power Dissipation
88
W
P D @T C = 100°C Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor
44
0.59
W
W/°C
T J ,T STG
Junction and Storage Temperature Range
-55 to + 175
°C
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC
Junction-to-Case
–––
1.7
R θ cs
R θ JA
R θ JA
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
Junction-to-Ambient( PCB mount)
0.50
–––
–––
–––
62
40
°C/W
Notes ? through ? are on page 11
www.irf.com
1
12/9/04
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF3706LPBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms 23nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF3706PBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms 23nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF3706S | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF3706SHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 77A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 77A 3PIN D2PAK - Bulk |
| IRF3706SPBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms 23nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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