- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21642 > IRF3706L (International Rectifier)MOSFET N-CH 20V 77A TO-262 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRF3706L |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 77A TO-262 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 77A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.5 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2410pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 88W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF3706L |
IRF3706/S/L
Static @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage 20
–– –
– ––
V
V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficie –––
–––
0.021
6.0
– ––
8.5
V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA
V GS = 10V, I D = 15A
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistan –––
–––
7.3
11
10.5
22
m ?
V GS = 4.5V, I D = 12A
V GS = 2.8V, I D = 7.5A
V GS(th)
I DSS
Gate Threshold Voltage
Drain-to-Source Leakage Current
0.6
–––
–– –
–– –
2
20
V
μA
V DS = V GS , I D = 250μA
V DS = 16V, V GS = 0V
–––
–– –
100
V DS = 16V, V GS = 0V, T J = 125°C
I GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
–––
–– –
–– –
200
-200
nA
V GS = 12V
V GS = -12V
Dynamic @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
gfs
Forward Transconductance
53
–– –
– ––
S
V DS = 16V, I D = 57A
Rg
Q g
Gate Resistance
Total Gate Charge
–––
–––
1.8
23
– ––
35
?
I D = 28A
Q gs
Q gd
Q oss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Output Gate Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
8.0
5.5
16
6.8
87
17
4.8
2410
1070
140
12
8.3
24
– ––
– ––
– ––
– ––
– ––
– ––
– ––
nC
ns
pF
V DS = 10V
V GS = 4.5V
V GS = 0V, V DS =10V
V DD = 10V
I D = 28A
R G = 1.8 ?
V GS = 4.5V
V GS = 0V
V DS = 10V
? = 1.0MHz
Avalanche Characteristics
Parameter
Typ.
Max.
Units
E AS
I AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
–––
–––
220
28
mJ
A
Diode Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
Continuous Source Current
–––
–– –
77
MOSFET symbol
(Body Diode)
A
showing the
I SM
Pulsed Source Current
–––
–– –
280
integral reverse
(Body Diode)
p-n junction diode.
V SD
Diode Forward Voltage
–––
0.88
1.3
V
T J = 25°C, I S = 36A, V GS = 0V
–––
0.82
– ––
T J = 125°C, I S = 36A, V GS = 0V
t rr
Q rr
t rr
Q rr
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
–––
–––
–––
–––
45
65
49
78
68
98
74
120
ns
nC
ns
nC
T J = 25°C, I F = 36A, V R =20V
di/dt = 100A/μs
T J = 125°C, I F = 36A, V R =20V
di/dt = 100A/μs
2
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SM31TB103 | TRIMMER 10K OHM 0.125W SMD |
| IRF3704L | MOSFET N-CH 20V 77A TO-262 |
| AT4127JB | SW CAP ROCKER FOR LED CLEAR WHT |
| SM31TB102 | TRIMMER 1K OHM 0.125W SMD |
| IRF3515L | MOSFET N-CH 150V 41A TO-262 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF3706LPBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms 23nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF3706PBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms 23nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF3706S | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF3706SHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 77A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 77A 3PIN D2PAK - Bulk |
| IRF3706SPBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms 23nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。