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参数资料
| 型号： | IRF3706STRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 77A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.5 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2410pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 88W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF3706/S/L
Static @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage 20
–– –
– ––
V
V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficie –––
–––
0.021
6.0
– ––
8.5
V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA
V GS = 10V, I D = 15A
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistan –––
–––
7.3
11
10.5
22
m ?
V GS = 4.5V, I D = 12A
V GS = 2.8V, I D = 7.5A
V GS(th)
I DSS
Gate Threshold Voltage
Drain-to-Source Leakage Current
0.6
–––
–– –
–– –
2
20
V
μA
V DS = V GS , I D = 250μA
V DS = 16V, V GS = 0V
–––
–– –
100
V DS = 16V, V GS = 0V, T J = 125°C
I GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
–––
–– –
–– –
200
-200
nA
V GS = 12V
V GS = -12V
Dynamic @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
gfs
Forward Transconductance
53
–– –
– ––
S
V DS = 16V, I D = 57A
Rg
Q g
Gate Resistance
Total Gate Charge
–––
–––
1.8
23
– ––
35
?
I D = 28A
Q gs
Q gd
Q oss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Output Gate Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
8.0
5.5
16
6.8
87
17
4.8
2410
1070
140
12
8.3
24
– ––
– ––
– ––
– ––
– ––
– ––
– ––
nC
ns
pF
V DS = 10V
V GS = 4.5V
V GS = 0V, V DS =10V
V DD = 10V
I D = 28A
R G = 1.8 ?
V GS = 4.5V
V GS = 0V
V DS = 10V
? = 1.0MHz
Avalanche Characteristics
Parameter
Typ.
Max.
Units
E AS
I AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
–––
–––
220
28
mJ
A
Diode Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
Continuous Source Current
–––
–– –
77
MOSFET symbol
(Body Diode)
A
showing the
I SM
Pulsed Source Current
–––
–– –
280
integral reverse
(Body Diode)
p-n junction diode.
V SD
Diode Forward Voltage
–––
0.88
1.3
V
T J = 25°C, I S = 36A, V GS = 0V
–––
0.82
– ––
T J = 125°C, I S = 36A, V GS = 0V
t rr
Q rr
t rr
Q rr
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
–––
–––
–––
–––
45
65
49
78
68
98
74
120
ns
nC
ns
nC
T J = 25°C, I F = 36A, V R =20V
di/dt = 100A/μs
T J = 125°C, I F = 36A, V R =20V
di/dt = 100A/μs
2
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