参数资料
型号: IRF3707PBF
厂商: International Rectifier
英文描述: HEXFET Power MOSFET
中文描述: HEXFET功率MOSFET
文件页数: 5/10页
文件大小: 288K
代理商: IRF3707PBF
IRF3707S/LPbF
www.irf.com
5
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
≤ 1
≤ 0.1 %
+
-
25
50
75
100
125
150
175
0
10
20
30
40
50
60
70
T , Case Temperature (°
I
D
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
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IRF3710LPBF LA-MachXO Automotive Non-Volatile PLD For Low-Density Applications; LUTs: 640; Supply Voltage: 1.2V; I/Os: 74; Grade: -3; Package: Lead-Free TQFP; Pins: 100; Temp.: AUTO
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参数描述
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IRF3707SPBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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