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参数资料
| 型号： | IRF3707SPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 288K |
| 代理商： | IRF3707SPBF |
IRF3707S/LPbF
6
www.irf.com
Fig 13.
On-Resistance Vs. Gate Voltage
Fig 12.
On-Resistance Vs. Drain Current
Fig 15a&b.
Unclamped Inductive Test circuit
and Waveforms
Fig 15c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
0
50
100
150
200
250
ID , Drain Current ( A )
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.10
RD
VGS = 4.5V
VGS = 10V
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
0.009
0.010
0.011
0.012
0.013
RD
)
ID = 31A
25
50
75
100
125
150
175
0
100
200
300
400
500
600
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
ID
TOP
BOTTOM
10.1A
20.7A
24.8A
Fig 14a&b.
Basic Gate Charge Test circuit
and Waveforms
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PDF描述 |
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| IRF3710SPBF | LA-MachXO Automotive Non-Volatile PLD For Low-Density Applications; LUTs: 640; Supply Voltage: 1.2V; I/Os: 113; Grade: -3; Package: Lead-Free TQFP; Pins: 144; Temp.: AUTO |
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参数描述 |
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