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参数资料
型号： IRF3708LPBF
厂商： International Rectifier
英文描述： SMPS MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET MOSFET的开关电源功率MOSFET
文件页数： 2/11页
文件大小： 286K
代理商： IRF3708LPBF
IRF3708/S/LPbF
2
www.irf.com
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
g
fs
Forward Transconductance
Q
g
Total Gate Charge
Q
gs
Gate-to-Source Charge
Q
gd
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Q
oss
Output Gate Charge
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
C
iss
Input Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
ns
Symbol
E
AS
I
AR
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
213
62
Units
mJ
A
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Avalanche Characteristics
S
D
G
Diode Characteristics
Symbol
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
I
SM
Pulsed Source Current
(Body Diode)
62
248
Min. Typ. Max. Units
49
–––
–––
24
–––
6.7
–––
5.8
–––
14
–––
7.2
–––
50
–––
17.6
–––
3.7
–––
2417 –––
–––
707
–––
52
Conditions
V
DS
= 15V, I
D
= 50A
–––
––– I
D
= 24.8A
–––
nC
–––
21
–––
–––
–––
–––
S
V
DS
= 15V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V, I
D
= 24.8A, V
DS
= 15V
V
DD
= 15V
I
D
= 24.8A
R
G
= 0.6
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V
V
DS
= 15V
= 1.0MHz
–––
–––
pF
V
SD
Diode Forward Voltage
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 31A, V
GS
= 0V
T
J
= 125°C, I
S
= 31A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 31A, V
R
=20V
di/dt = 100A/μs
T
J
= 125°C, I
F
= 31A, V
R
=20V
di/dt = 100A/μs
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.88
0.80
41
64
43
70
1.3
–––
62
96
65
105
V
t
rr
Q
rr
t
rr
Q
rr
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
ns
nC
ns
nC
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.028 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
–––
–––
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
0.6
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Min.
30
Typ.
–––
Max. Units
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
V
8
12.0
13.5 m
29
2.0
20
100
200
-200
V
GS
= 10V, I
D
= 15A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 12A
V
GS
= 2.8V, I
D
= 7.5A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 12V
V
GS
= -12V
9.5
14.5
–––
–––
–––
–––
–––
V
μA
nA
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PDF描述
IRF3708PBF SMPS MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET
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IRF3710SPBF LA-MachXO Automotive Non-Volatile PLD For Low-Density Applications; LUTs: 640; Supply Voltage: 1.2V; I/Os: 113; Grade: -3; Package: Lead-Free TQFP; Pins: 144; Temp.: AUTO
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