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参数资料
| 型号： | IRF3708PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 62A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2417pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 87W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1518 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | *IRF3708PBF |
IRF3708/S/LPbF
1000
100
2.7V
VGS
TOP 10.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.3V
3.0V
BOTTOM 2.7V
1000
100
2.7V
VGS
TOP 10.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.3V
3.0V
BOTTOM 2.7V
10
1
20μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
10
1
20μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000
100
T J = 25 ° C
T J = 175 ° C
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
I D = 62A
10
2.0
V DS = 15V
20μs PULSE WIDTH
3.0 4.0 5.0
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
6.0
V GS = 10V
0.0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
T J , Junction Temperature ( ° C)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
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