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参数资料
| 型号： | IXTP60N10T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 60A TO-220 |
| 产品目录绘图： | TO-220, TO-251 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 49nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2650pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 176W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
TrenchMV TM
Power MOSFET
IXTA60N10T
IXTP60N10T
V DSS
I D25
R DS(on)
= 100V
= 60A
≤ 18m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
TO-263 (IXTA)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
G
S
(TAB)
V DSS
V DGR
V GSM
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C, R GS = 1M Ω
Transient
100
100
± 30
V
V
V
TO-220 (IXTP)
I D25
I DM
I A
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
60
180
10
500
A
A
A
mJ
G
D
S
(TAB)
P D
T J
T JM
T stg
T C = 25 ° C
176
-55 ... +175
175
-55 ... +175
W
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
T L
T SOLD
M d
Weight
1.6mm (0.062in.) from case for 10s
Plastic body for 10 seconds
Mounting torque (TO-220)
TO-263
TO-220
300
260
1.13/10
2.5
3.0
° C
° C
Nm/lb.in
g
g
Features
International standard packages
175°C Operating Temperature
Avalanche Rated
Low R DS(on)
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
BV DSS V GS = 0V, I D = 250 μ A
V GS(th) V DS = V GS , I D = 50 μ A
I GSS V GS = ± 20V, V DS = 0V
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
100 V
2.5 4.5 V
± 100 nA
Applications
DC/DC Converters and Off-line UPS
Primary Switch for 24V and 48V
Systems
High Current Switching Applications
Distributed Power Architechtures
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0V T J = 150 ° C
V GS = 10V, I D = 25A, Notes 1, 2
14.8
1 μ A
100 μ A
18 m Ω
and VRMs
Electronic Valve Train Systems
High Voltage Synchronous Recifier
? 2007 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99647B(08/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GLAB03D | SWITCH TOP ROLLER ARM SLO ACT |
| GLAA04D | SWITCH TOP ROLLER ARM SLO ACT |
| Z-15GK3A55-B5V | BASIC SWITCH |
| 1900MHZ-AMP-EVK | KIT EVALUATION FOR 1900MHZ AMP |
| MAX2371EVKIT# | KIT EVAL FOR MAX2371 MAX2373 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP60N20T | 功能描述:MOSFET Trench POWER MOSFETs 200v, 60A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP62N15P | 功能描述:MOSFET 62 Amps 150V 0.04 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP64N055T | 功能描述:MOSFET 64 Amps 55V 13 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP6N100D2 | 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP6N50D2 | 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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