- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18708 > IXTP60N10T (IXYS)MOSFET N-CH 100V 60A TO-220 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IXTP60N10T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 60A TO-220 |
| 产品目录绘图： | TO-220, TO-251 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 49nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2650pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 176W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXTA60N10T
IXTP60N10T
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
TO-263 (IXTA) Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
V DS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
25
42
2650
335
60
S
pF
pF
pF
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Resistive Switching Times
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 10A
R G = 15 Ω (External)
27
40
43
37
49
ns
ns
ns
ns
nC
Pins:
1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
4, TAB - Drain
Q gs
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 10A
15
nC
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
Q gd
11
nC
A
A1
4.06
2.03
4.83
2.79
.160
.080
.190
.110
R thJC
R thCH
TO-220
0.50
0.85 ° C/W
° C/W
b
b2
c
c2
0.51
1.14
0.46
1.14
0.99
1.40
0.74
1.40
.020
.045
.018
.045
.039
.055
.029
.055
D
D1
8.64
7.11
9.65
8.13
.340
.280
.380
.320
Source-Drain Diode
E
E1
9.65
6.86
10.29
8.13
.380
.270
.405
.320
Symbol Test Conditions
T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
e
L
L1
2.54
14.61
2.29
BSC
15.88
2.79
.100
.575
.090
BSC
.625
.110
I S
I SM
V GS = 0V
Repetitive, pulse width limited by T JM
60
240
A
A
L2
L3
L4
R
1.02
1.27
0
0.46
1.40
1.78
0.38
0.74
.040
.050
0
.018
.055
.070
.015
.029
V SD
I F = 25A, V GS = 0V, Note 1
1.2
V
t rr
I RM
Q RM
I F = 0.5 ? I S , V GS = 0V
-di/dt = 100A/ μ s
V R = 0.5 ? V DSS
59
3.8
112
ns
A
nC
TO-220 (IXTP) Outline
Notes: 1. Pulse test, t ≤ 300 μ s; duty cycle, d ≤ 2%.
2. On through-hole packages, R DS(on) Kelvin test contact location must be
5mm or less from the package body.
Pins:
1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
4, TAB - Drain
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or moreof the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GLAB03D | SWITCH TOP ROLLER ARM SLO ACT |
| GLAA04D | SWITCH TOP ROLLER ARM SLO ACT |
| Z-15GK3A55-B5V | BASIC SWITCH |
| 1900MHZ-AMP-EVK | KIT EVALUATION FOR 1900MHZ AMP |
| MAX2371EVKIT# | KIT EVAL FOR MAX2371 MAX2373 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP60N20T | 功能描述:MOSFET Trench POWER MOSFETs 200v, 60A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP62N15P | 功能描述:MOSFET 62 Amps 150V 0.04 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP64N055T | 功能描述:MOSFET 64 Amps 55V 13 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP6N100D2 | 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP6N50D2 | 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。