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参数资料
| 型号： | IRF3708PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | SMPS MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET |
| 中文描述： | ㈢的HEXFET MOSFET的开关电源功率MOSFET |
| 文件页数： | 11/11页 |
| 文件大小： | 286K |
| 代理商： | IRF3708PBF |
Note: For the most current drawings please refer to the IR website at:
http://www.irf.com/package/
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF3708SPBF | SMPS MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET |
| IRF3710LPBF | LA-MachXO Automotive Non-Volatile PLD For Low-Density Applications; LUTs: 640; Supply Voltage: 1.2V; I/Os: 74; Grade: -3; Package: Lead-Free TQFP; Pins: 100; Temp.: AUTO |
| IRF3710SPBF | LA-MachXO Automotive Non-Volatile PLD For Low-Density Applications; LUTs: 640; Supply Voltage: 1.2V; I/Os: 113; Grade: -3; Package: Lead-Free TQFP; Pins: 144; Temp.: AUTO |
| IRF3711LPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF3711PBF | HEXFET Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF3708S | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF3708SHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
| IRF3708SPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 62A 12mOhm 24nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF3708SPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET 30V 62A D2-PAK |
| IRF3708STRL | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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