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参数资料
| 型号： | IRF3708PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | SMPS MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET |
| 中文描述： | ㈢的HEXFET MOSFET的开关电源功率MOSFET |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 286K |
| 代理商： | IRF3708PBF |
IRF3708/S/LPbF
4
www.irf.com
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
1
10
100
0
700
1400
2100
2800
3500
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
0
10
Q , Total Gate Charge (nC)
20
30
40
50
0
2
4
6
8
10
V
G
I =
24.8A
V
= 15V
DS
0.1
1
10
100
1000
0.2
0.8
1.4
2.0
2.6
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 175 C
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 175°
= 25 C
°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
10us
100us
1ms
10ms
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PDF描述 |
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