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参数资料
| 型号： | IRF3710L |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 57A TO-262 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 57A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 28A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3130pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF3710L |
IRF3710S/IRF3710L
1000
100
VGS
TOP 16V
10V
7.0V
6.0V
5.0V
4.5V
4.0V
BOTTOM 3.5V
1000
100
VGS
TOP 16V
10V
7.0V
6.0V
5.0V
4.5V
4.0V
BOTTOM 3.5V
10
1
0.1
3.5V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
10
1
0.1
3.5V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000.00
3.0
I D = 57A
2.5
100.00
VDS = 50V
10.00
1.00
T J = 175°C
T J = 25°C
15V
2.0
1.5
1.0
0.5
0.10
20μs PULSE WIDTH
0.0
V GS = 10V
3.0
4.0 5.0 6.0 7.0 8.0
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
9.0
-60
-40
-20 0 20 40 60 80
T J , Junction Temperature
100 120 140 160 180
( ° C)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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