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参数资料
| 型号： | IRF3710L |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 57A TO-262 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 57A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 28A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3130pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF3710L |
IRF3710S/IRF3710L
100000
10000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = C gs + Cgd, Cds
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Ciss
SHORTED
12.0
10.0
8.0
ID= 28A
VDS= 80V
VDS= 50V
VDS= 20V
1000
100
10
Coss
Crss
6.0
4.0
2.0
0.0
1
10
100
0
20
40
60
80
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
QG Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
1000.00
1000
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100.00
10.00
TJ = 175°C
100
10
100μsec
1msec
1.00
T J = 25°C
1
10msec
Tc = 25°C
0.10
VGS = 0V
0.1
Tj = 175°C
Single Pulse
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
1
10
100
1000
4
VSD, Source-toDrain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF3711ZCSTRLP | MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRF3710PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF3710S | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N D2-PAK |
| IRF3710SHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 57A 3PIN D2PAK - Rail/Tube |
| IRF3710SPBF | 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 86.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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