参数资料
型号: IRF3711ZCLPBF
厂商: International Rectifier
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描述: MOSFET N-CH 20V 92A TO-262
标准包装: 50
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 92A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 6 毫欧 @ 15A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.45V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2150pF @ 10V
功率 - 最大: 79W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装: TO-262
包装: 管件
其它名称: *IRF3711ZCLPBF
PD -95110
IRF3711ZCSPbF
IRF3711ZCLPbF
Applications
l High Frequency Synchronous Buck
Converters for Computer Processor Power
l Lead-Free
Benefits
HEXFET ? Power MOSFET
V DSS R DS(on) max Qg
20V 6.0m : 16nC
l
l
l
Low R DS(on) at 4.5V V GS
Ultra-Low Gate Impedance
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Absolute Maximum Ratings
Parameter
D 2 Pak
IRF3711ZCSPbF
Max.
TO-262
IRF3711ZCLPbF
Units
V DS
V GS
I D @ T C = 25°C
I D @ T C = 100°C
I DM
P D @T C = 25°C
P D @T C = 100°C
T J
T STG
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
20
± 20
92
65
380
79
40
0.53
-55 to + 175
300 (1.6mm from case)
V
A
W
W/°C
°C
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC
R θ JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB Mount)
–––
–––
1.89
40
°C/W
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www.irf.com
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03/11/04
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IRF3711ZCS 功能描述:MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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IRF3711ZCSTRLP 功能描述:MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件