- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录17649 > IRF3711ZCLPBF (International Rectifier)MOSFET N-CH 20V 92A TO-262 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRF3711ZCLPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 92A TO-262 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 92A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.45V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2150pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 79W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF3711ZCLPBF |
IRF3711ZC/S/LPbF
10000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
C iss = C gs + C gd, C ds SHORTED
C rss = C gd
12
10
ID= 12A
VDS= 15V
VDS= 10V
C oss = C ds + C gd
1000
Ciss
8
6
Coss
4
Crss
2
100
1
10
100
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance vs.
Drain-to-Source Voltage
QG Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Source Voltage
1000.0
100.0
10.0
T J = 175°C
10000
1000
100
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100μsec
1.0
0.1
T J = 25°C
VGS = 0V
10
1
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1msec
10msec
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
10
100
4
VSD, Source-toDrain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF3711ZLPBF | MOSFET N-CH 20V 92A TO-262 |
| IRL3714ZLPBF | MOSFET N-CH 20V 36A TO-262 |
| IRL3715ZCSPBF | MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK |
| IRF7467PBF | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC |
| AML27ABK2BC23BA | SWITCH KEYLOCK 2POS DPDT 0.1A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF3711ZCS | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF3711ZCSHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 92A 3PIN D2PAK - Bulk |
| IRF3711ZCSPBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRF3711ZCSTRL | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF3711ZCSTRLP | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。