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参数资料
| 型号： | IRF3711ZPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 92A TO-220AB |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 92A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.45V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2150pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 79W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF3711ZPBF |
IRF3711Z/S/LPbF
100
80
LIMITED BY PACKAGE
2.4
2.0
60
40
20
1.6
1.2
0.8
ID = 250μA
0
25
50 75 100 125 150
T C , Case Temperature (°C)
175
0.4
-75 -50 -25
0 25 50 75 100 125 150 175 200
T J , Temperature ( °C )
Fig 9. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
10
Fig 10. Threshold Voltage vs. Temperature
1
D = 0.50
0.20
τ 3
τ C
0.1
0.01
0.10
0.05
0.02
0.01
τ J
R 1
R 1
τ J
τ 1
τ 1
Ci= τ i / Ri
Ci= τ i / Ri
τ 2
R 2
R 2
τ 2
R 3
R 3
τ 3
τ
Ri (°C/W) τ i (sec)
0.894 0.000306
0.600 0.001019
0.401 0.006662
0.001
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
www.irf.com
5
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