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参数资料
| 型号： | IRF3711ZPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 92A TO-220AB |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 92A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.45V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2150pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 79W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF3711ZPBF |
IRF3711Z/S/LPbF
0.02
600
ID = 15A
500
400
I D
TOP 7.3A
8.6A
BOTTOM 12A
0.01
T J = 125°C
T J = 25°C
300
200
100
0.00
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
0
25
50
75
100
125
150
175
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 12. On-Resistance Vs. Gate Voltage
15V
Starting T J, Junction Temperature (°C)
Fig 13c. Maximum Avalanche Energy
vs. Drain Current
L D
V DS
VDS
L
DRIVER
+
V DD -
RG
GS
20V
tp
D.U.T
IAS
0.01 ?
+
-
VDD
A
V GS
Pulse Width < 1μs
D.U.T
Duty Factor < 0.1%
Fig 13a. Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 14a. Switching Time Test Circuit
tp
V (BR)DSS
V DS
90%
10%
V GS
I AS
t d(on)
t r
t d(off)
t f
6
Fig 13b. Unclamped Inductive Waveforms
Fig 14b. Switching Time Waveforms
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRF3711ZSPBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 5.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF3711ZSTRL | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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