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参数资料
| 型号： | IRF3711ZSTRRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 92A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.45V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2150pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 79W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
PD - 95530
IRF3711ZPbF
IRF3711ZSPbF
IRF3711ZLPbF
Applications
l High Frequency Synchronous Buck
Converters for Computer Processor Power
l Lead-Free
Benefits
HEXFET ? Power MOSFET
V DSS R DS(on) max Qg
20V 6.0m : 16nC
l
l
l
Low R DS(on) at 4.5V V GS
Ultra-Low Gate Impedance
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
TO-220AB
IRF3711Z
D 2 Pak
IRF3711ZS
TO-262
IRF3711ZL
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Max.
Units
V DS
V GS
I D @ T C = 25°C
I D @ T C = 100°C
I DM
P D @T C = 25°C
P D @T C = 100°C
T J
T STG
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw
20
± 20
92
65
380
79
40
0.53
-55 to + 175
300 (1.6mm from case)
10 lbf in (1.1N m)
V
A
W
W/°C
°C
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC
R θ CS
R θ JA
R θ JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat Greased Surface
Junction-to-Ambient
Junction-to-Ambient (PCB Mount)
–––
0.50
–––
–––
1.89
–––
62
40
°C/W
Notes ? through ? are on page 12
www.irf.com
1
7/20/04
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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