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参数资料
| 型号： | IRF3711ZSTRRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 9/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 92A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.45V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2150pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 79W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF3711Z/S/LPbF
TO-220AB Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
2.87 (.113)
2.62 (.103)
10.54 (.415)
10.29 (.405)
3.78 (.149)
3.54 (.139)
-A-
4.69 (.185)
4.20 (.165)
-B-
1.32 (.052)
1.22 (.048)
6.47 (.255)
15.24 (.600)
4
6.10 (.240)
HEXFET
IGBTs, CoPACK
1- GATE - DRAIN
1- GATE
14.84 (.584)
14.09 (.555)
13.47 (.530)
1
2
3
1.15 (.045)
MIN
4.06 (.160)
3.55 (.140)
LEAD ASSIGNMENTS
LEAD ASSIGNMENTS
1 - GATE
2
3 -
4 -
2- DRAIN SOURCE 2- COLLECTOR
3- SOURCE DRAIN 3- EMITTER
4- DRAIN 4- COLLECTOR
3X
3X
3X
1.40 (.055)
1.15 (.045)
0.93 (.037)
0.69 (.027)
0.36 (.014)
M
B A M
0.55 (.022)
0.46 (.018)
2.92 (.115)
2.54 (.100)
2X
NOTES:
1 DIMENSIONING & TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.
2 CONTROLLING DIMENSION : INCH
2.64 (.104)
3 OUTLINE CONFORMS TO JEDEC OUTLINE TO-220AB.
4 HEATSINK & LEAD MEASUREMENTS DO NOT INCLUDE BURRS.
TO-220AB Part Marking Information
E XAMPL E : T HIS IS AN IR F 1010
www.irf.com
L OT CODE 1789
AS S E MB L E D ON WW 19, 1997
IN T H E AS S E MB L Y L INE "C"
Note: "P" in assembly line
position indicates "Lead-Free"
INT E R NAT IONAL
R E CT IF IE R
L OGO
AS S E MB L Y
L OT CODE
PAR T NU MB E R
DAT E CODE
YE AR 7 = 1997
WE E K 19
L INE C
9
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PDF描述 |
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参数描述 |
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