型号: | IRF510STRRPBF |
厂商: | Vishay Siliconix |
文件页数: | 1/9页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK |
标准包装: | 1 |
FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss): | 100V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 5.6A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 540 毫欧 @ 3.4A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 8.3nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 180pF @ 25V |
功率 - 最大: | 3.7W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商设备封装: | TO-263(D2Pak) |
包装: | 标准包装 |
其它名称: | IRF510STRRPBFDKR |