型号: | IRF513-012PBF |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 4.9 A, 80 V, 0.74 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 42K |
代理商: | IRF513-012PBF |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRF513-010PBF | 4.9 A, 80 V, 0.74 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
IRF513-002PBF | 4.9 A, 80 V, 0.74 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
IRF513-013 | 4.9 A, 80 V, 0.74 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
IRF513-005 | 4.9 A, 80 V, 0.74 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
IRF522-012PBF | 8 A, 100 V, 0.36 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRF513R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 4.9A I(D) | TO-220AB |
IRF520 | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRF520_R4941 | 功能描述:MOSFET TO-220AB N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRF520A | 功能描述:MOSFET 9.2A 100V .4 OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRF520CHIP | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9.2A I(D) | CHIP |