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参数资料
| 型号： | IRF530N |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=90mohm, Id=17A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 100V的，的Rds（on）\u003d 90mohm，身份证\u003d 17A条） |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 212K |
| 代理商： | IRF530N |
IRF530N
www.irf.com
5
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
2. Peak T =P
Notes:
1. Duty factor D =
t / t
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
(THERMAL RESPONSE)
SINGLE PULSE
25
50
75
100
125
150
175
0
4
8
12
16
20
T , Case Temperature
(°
I
D
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
V
GS
+
-
V
DD
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
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PDF描述 |
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