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参数资料
| 型号： | IRF530N |
| 厂商： | INTERSIL CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 22A, 100V, 0.064 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
| 中文描述： | 22 A, 100 V, 0.064 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 212K |
| 代理商： | IRF530N |
IRF530N
www.irf.com
7
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
[ ] ***
V
DD
[ ]
I
[ ]
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
*
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
Reverse Polarity of D.U.T for P-Channel
V
GS
***
V
GS
= 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices
Fig 14.
For N-channel
HEXFET
power MOSFETs
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRF530N_R4942 | 功能描述:MOSFET TO-220AB N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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