- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录377504 > IRF530R (Harris Corporation) N-Channel Power MOSFETs Avalanche Energy Rated PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRF530R |
| 厂商： | Harris Corporation |
| 英文描述： | N-Channel Power MOSFETs Avalanche Energy Rated |
| 中文描述： | N沟道功率MOSFET额定雪崩能量 |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 178K |
| 代理商： | IRF530R |
IRF530NS/L
6
www.irf.com
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
V
DS
L
D.U.T.
V
DD
I
AS
t
p
0.01
R
G
+
-
t
p
V
DS
I
AS
V
DD
V
(BR)DSS
10 V
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
10 V
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
0
50
100
150
200
250
300
350
25
50
75
100
125
150
175
E
A
A
Starting T , Junction Temperature (°C)
V = 25V
I
TOP 3.7A
6.4A
BOTTOM 9.0A
D
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF530PBF | Dynamic dv/dt Rating, Fast Switching, Ease of Paralleling, Simple Drive Requirements |
| IRF530 | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.16ohm, Id=14A) |
| IRF530NS | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.11ohm, Id=17A) |
| IRF530 | N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V |
| IRF530 | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF530S | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF530SPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF530STRL | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF530STRLPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF530STRR | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。