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参数资料
| 型号： | IRF531 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 中文描述： | 14 A, 60 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | IRF531 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF532 | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| IRF540 | 100V，27A TMOS Power Field Effect Transistor （N-Channel Enhancement Mode Silicon Gate）(100V，27A TMOS功率场效应管（N沟道增强型硅门）) |
| IRF620-009 | 5.2 A, 200 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRF6215-024PBF | 11 A, 150 V, 0.29 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRF6215-011PBF | 11 A, 150 V, 0.29 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF531FI | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| IRF531R | 制造商:HARRIS 制造商全称:HARRIS 功能描述:N-Channel Power MOSFETs Avalanche Energy Rated |
| IRF532 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRF532FI | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| IRF532R | 制造商:HARRIS 制造商全称:HARRIS 功能描述:N-Channel Power MOSFETs Avalanche Energy Rated |
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