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参数资料
| 型号： | IRF5Y3710CM |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.035ohm, Id=18A*) |
| 中文描述： | 功率MOSFET N沟道（减振钢板基本\u003d 100V的，的Rds（on）\u003d 0.035ohm，身份证\u003d 18A条*） |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 105K |
| 代理商： | IRF5Y3710CM |
IRF5Y3710CM
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 150 C
1
10
100
1000
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
Tc = 25
°
C
Tj = 150
°
C
Single Pulse
1ms
10ms
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
1
10
100
0
1000
2000
3000
4000
5000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
0
40
Q , Total Gate Charge (nC)
80
120
160
200
0
4
8
12
16
20
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
18A
V
= 20V
DS
V
= 50V
DS
V
= 80V
DS
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PDF描述 |
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