- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录385440 > IRF620PBF (International Rectifier) HEXFET Power MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRF620PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 890K |
| 代理商： | IRF620PBF |
www.irf.com
1
Lead-Free
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF620SPBF | HEXFET POWER MOSFET (VDSS=200V , RDS(on)=0.80ヘ , ID=5.2A ) |
| IRF6215LPBF | HEXFET POWER MOSFET ( VDSS=-150V , RDS(on)=0.29ヘ , ID=-13A ) |
| IRF6215SPBF | HEXFET POWER MOSFET ( VDSS=-150V , RDS(on)=0.29ヘ , ID=-13A ) |
| IRF6215PBF | HEXFET㈢ Power MOSFET |
| IRF6217PBF | SMPS MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF620R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220AB |
| IRF620R4587 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRF620S | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF620SPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF620STRL | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。