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参数资料
| 型号： | IRF633-013 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 7.3 A, 150 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 42K |
| 代理商： | IRF633-013 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF633-006 | 7.3 A, 150 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF633-005 | 7.3 A, 150 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF640S | 18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| IRF640 | Power Field Effect Transistor (N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate)(功率场效应管（N沟道增强型硅门）) |
| IRF6609 | Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF633R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220AB |
| IRF634 | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF634A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
| IRF634B | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| IRF634B_FP001 | 功能描述:MOSFET 250V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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